知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，点击加入）里的学员问：为什么都说TSV填孔工艺难？难在哪里？TSV电镀填孔基本情况？
1，高深宽比：TSV深可达50–150 μm，孔径却只有5–10 μm，深宽比>10:1。
2，孔内壁复杂：内壁存在台阶，由于采用博世工艺，会产生扇贝形状。
TSV电镀的难点？孔内不能完全填实，有空洞TSV出现空洞的主要原因？
1，电流密度集中在孔口 → 孔口铜生长快 → 孔口金属接触，封口，形成空洞
2，孔内电镀液交互困难，旧的电镀液无法及时排出，新的电镀液又无法到达沉积界面，导致深孔内电镀质量电镀速率都比较差一些电镀液添加剂的沉积原理？
抑制剂（Suppressor）：抑制表面铜沉积，孔口的铜沉积，孔壁的铜沉积
加速剂（Accelerator）：加速底部铜向上生长沉积
整平剂（Leveler）：使晶圆沉积的铜厚度一致，降低粗糙度
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